重复评级;脉宽限制为值。结温。

ISD26,di/dt390/μsVDDV(BR)DSS,TJ175°C。

脉冲宽度300μs;工作周期2%。

输出电容滚开。是一种固定电容，其充电时间与Coss相同，而VDS从0上升到80%VDSS。

这只是应用于ab-220包。

当安装在1平方PCB(FR-4或g10材料)。推荐的足迹和焊接技术参考。

应用程序注意#-994。

       n沟道场效应晶体管类型

技术mosfet(金属氧化物)

排放到源电压(Vdss)200v。

驱动电压(MaxRdsOn,MinRdsOn)10v。

vg(th)(Max)@id5vμa@250

门控(Qg)(Max)@vgs91nc@10V。

vg(Max)±20v

输入电容(Ciss)(Max)@vds2900pf@25V。

场效应晶体管的特性,

功率损耗(Max)3.8w(Ta)，300W(Tc)

RdsOn(Max)@Id,vgs54mOhm@26A,10V。

工作温度-55C~175C(TJ)