特性

完全操作到+600v。

耐负瞬时电压，dV/dt。

门驱动供应范围从10伏到20伏。

两个通道的低压锁定。

3.3V和5V输入逻辑兼容。

逻辑和动力地面+/-5v偏置。

降低di/dt门驱动器，提高抗噪能力。

输出源/sink电流能力1.4A/1.8A。

通过无铅

电压、高速功率MOSFET。

和IGBT驱动程序独立。

高端和下部引用

输出通道。专有HVIC

闩锁免疫CMOS技术。

使加固的单片

建设。逻辑输入是兼容的。

使用标准CMOS或LSTTL输出，下至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲。

目前的缓冲阶段设计为驱动交叉传导。该浮动通道可用于驱动。

一个n通道功率MOSFET或IGBT在高端配置，操作高达600v。